瞄准未来-太赫兹晶体管  

出　　处：《集成电路通讯》2015年第3期48-48,共1页

摘　　要：基于氮化铟高电子迁移率场效应晶体管实现高速逻辑、混合信号的集成电路显然还有很长的路要走，但研究已经开展起来。目前也取得了一些成果，比如对概念的物理分析。实际操作中也取得一些突破，如在氮化铟上对氮化镓进行高选择性刻蚀；在氮化镓／氮化铟上对金属氧化物半导体结构制备工艺；

关 键 词：太赫兹晶体管 瞄准 场效应晶体管 高电子迁移率 选择性刻蚀 半导体结构 金属氧化物 氮化铟 

分 类 号：TN929.1[电子电信—通信与信息系统]