EUV光刻工艺全球专利发展态势研究  

作　　者：王丹[1] 车晓璐[1] 

机构地区：[1]国家知识产权局专利局电学发明审查部

出　　处：《中国发明与专利》2016年第9期54-59,共6页China Invention & Patent

摘　　要：EUV光刻正在成为引领集成电路光刻技术发展的最具潜力的技术。本文围绕EUV光刻工艺技术领域的专利申请发展趋势、区域分布、主要申请人以及重点技术等几个方面对其全球专利申请的发展态势和布局情况进行研究,以期对政府决策和企业发展战略的制定提供参考和帮助。

关 键 词：EUV EUVL 极紫外 极紫光 光刻 微影 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]