云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- EUVL

EUVL: 作品数：20被引量：42H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：林强李艳秋曹健林金春水向鹏更多>>; 相关机构：旭硝子株式会社中国科学院长春光学精密机械与物理研究所IMEC 非营利协会哈尔滨工业大学更多>>; 相关期刊：《物理》《湖北汽车工业学院学报》《激光与光电子学进展》《光机电信息》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家科技重大专项中国科学院知识创新工程教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>

国际计量前沿资讯: 《中国计量》2023年第11期51-53,共3页; NIST发布《极紫外(EUV)光刻分析报告》近日,美国国家标准与技术研究院(NIST)召开了交叉工作组会议,并发布了《极紫外光刻(EUVL)工作组会议报告:现状、需求和前进道路》。会议集中讨论了EUVL的研究、开发和制造等方面的关键技术问题和所...; 关键词：极紫外光刻等离子体物理工作组会议计量学分析报告液滴发生器 EUVL

A compact electron storage ring for lithographical applications: 《Nuclear Science and Techniques》2021年第9期16-26,共11页Si-Qi Shen Da-Zhang Huang Zhen-Tang Zhao Qing-Lei Zhang; supported by the National Key Research and Development Program of China(No.2016YFA0401901);the National Natural Science Foundation of China(No.11675248).; The physical design for a novel low-energy compact-storage-ring-based extreme ultraviolet(EUV)light source was systemically studied.The design process considers the linear and nonlinear beam optics,including transvers...; 关键词：Storage ring Extreme ultraviolet(EUV) EUV lithography(EUVL)

极紫外光刻机真空材料放气分率的单质谱测试方法研究被引量：4: 《质谱学报》2018年第4期392-398,共7页罗艳王魁波吴晓斌; 极紫外光刻机关键技术研究项目(2012ZX02702)资助; 水蒸气(H_2O)和碳氢化合物(C_xH_y)的放气分率是评价极紫外光刻机(EUVL)真空材料的重要参数。研究材料放气分率的传统方法一般需要2个完全相同的四极质谱计,这不仅大大增加了测试设备造价,而且会导致测试结果存在误差。为解决这一问题,...; 关键词：极紫外光刻机(EUVL) 真空材料放气分率四极质谱计(QMS)

光源掩模协同优化的原理与应用被引量：3: 《半导体技术》2017年第9期641-649,共9页陈文辉何建芳董立松韦亚一; 国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301001);国家自然科学基金资助项目(61604172); 当半导体技术节点缩小至14 nm及以下时,光刻技术也逐渐接近了其物理极限。光源掩模协同优化(SMO)作为一种新型的分辨率增强技术,能够显著提升极限尺寸下半导体光刻的重叠工艺窗口,有效延伸当前常规光刻技术的生存周期。综述了SMO这一技...; 关键词：远紫外光刻(EUVL) 分辨率增强技术光源掩模协同优化(SMO) 像素化光源 193 nm浸没式光刻

基于液滴锡靶LPP-EUVL光源多层膜的溅射损伤研究: 《华中师范大学学报（自然科学版）》2017年第2期162-167,共6页吴涛姚拴; 国家自然科学基金项目(11304235);武汉工程大学校长基金项目(2014067);武汉工程大学科学研究基金项目(K201310); 基于Navier-Stokes方程的自相似解,研究了最小质量限制液滴Sn靶激光等离子高能离子的时空分布特性,并将该结果应用于高能离子碎屑刻蚀导致的极紫外光刻(EUVL)光源收集镜寿命的评估.对于不同的绝热膨胀指数γ=1.67、1.3和1.1,数值计算了...; 关键词：激光等离子体自相似膨胀离子碎屑溅射产额极紫外光刻

EUV光刻工艺全球专利发展态势研究被引量：2: 《中国发明与专利》2016年第9期54-59,共6页王丹车晓璐; EUV光刻正在成为引领集成电路光刻技术发展的最具潜力的技术。本文围绕EUV光刻工艺技术领域的专利申请发展趋势、区域分布、主要申请人以及重点技术等几个方面对其全球专利申请的发展态势和布局情况进行研究,以期对政府决策和企业发展...; 关键词：EUV EUVL 极紫外极紫光光刻微影

SUSS MicroTec公司进一步巩固其光刻设备在技术和市场上的领先地位: 《半导体技术》2011年第1期95-95,共1页; 2010年11月30日，SUSSMicroTecAG的全资子公司HamaTechAPE GmbH＆Co．KG宣布，已接到几十份MaskTrackPro设备订单。MaskTrackPro于2009年投产，是用于下一代光刻领域的完整掩膜流程平台。对于亚22nm 193nm浸没式光刻、EUVL深紫外光刻、...; 关键词：纳米压印技术光刻设备市场下一代光刻深紫外光刻 EUVL 光刻工艺掩膜版

大数值孔径产业化极紫外投影光刻物镜设计被引量：21: 《光学学报》2011年第2期224-230,共7页刘菲李艳秋; 国家科技重大专项;教育部长江学者特聘教授奖励计划;北京理工大学基础研究基金(20090442019);北京理工大学优秀青年教师资助计划扩展项目(2010CX04020)资助课题; 极紫外光刻技术（EUVL）是半导体制造实现22 nm及以下节点的下一代光刻技术,高分辨投影物镜的设计是实现高分辨光刻的关键技术。为设计满足22 nm产业化光刻机需求的极紫外光刻投影物镜,采用6枚高次非球面反射镜,像方数值孔径达到0.3,像...; 关键词：光学设计投影物镜高次非球面极紫外光刻(EUVL)

毛细管放电EUVL光源演示装置被引量：1: 《湖北汽车工业学院学报》2010年第2期46-50,共5页张兴强王骐; 国家自然科学基金重点课题(60838005);哈尔滨工业大学创新团队资助项目; 极紫外光刻(EUVL)技术能突破30 nm技术节点、可应用于大规模工业生产,是下一代光刻技术的核心之一。极紫外(EUV)光源是EUVL的源头,寻找可满足EUVL的合适光源是解决问题的关键,世界上许多发达国家都在积极探索EUVL光源的研究。属于4种气...; 关键词：极紫外光源极紫外光刻毛细管放电

强组态相互作用对Sn离子谱线分布的影响: 《原子与分子物理学报》2009年第1期20-28,共9页李继弘罗月娥王学文董晨钟丁晓彬蒋军; 国家自然科学基金(10376026,10434100);兰州重离子加速器国家实验室原子核理论研究中心基金;陇东学院校内科研项目基金(XYZK0803); 本文利用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法,计算了Sn离子在不同离化度下(从SnVI到SnXⅢ)所产生的4p^6 4d^(n-1)4f+4p^6 4d^(n-1)5p+4p^5 4d^(n+1)-4p^64d^n的跃迁光谱,给出了组态平均能量随电离度的变化规律和理论预言的辐射光谱,并分析了组...; 关键词：MCDF方法组态相互作用振子强度不可分辨的跃迁峰(UTA) 极真空紫外光刻(EUVL)

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