集成SiC SBD的6.5kV全SiC MOSFET功率模块  

出　　处：《半导体信息》2018年第5期11-15,共5页Semiconductor Information

摘　　要：三菱电机开发了首款6.5kV全SiC（Silicon Carbide）功率模块,采用高绝缘耐压HV100标准封装（100mmí140mm）。通过电磁仿真和电路仿真,优化了HV100封装的内部设计,并通过实际试验验证了稳定的电气特性。6.5kV HV100全SiC功率模块为了提高功率密度,将SiC SBD（Schottky Barrier Di-ode）与SiCMOSFET芯片集成在一起。

关 键 词：功率模块 芯片集成 SIC MOSFET SBD Barrier 高功率密度 三菱电机 

分 类 号：TN773[电子电信—电路与系统]