新型铁电不挥发性逻辑电路的分析和实现  

Analysis and Realization of Nonvolatile Logic Circuits by Using Ferroelectric Technology

作　　者：汤庭鳌[1] 陈登元[1] 汤祥云[1] 程君侠[1] 虞惠华[1] 

机构地区：[1]复旦大学微电子学系ASIC和系统国家重点实验室,上海200433

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第11期1201-1206,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :6 9876 0 0 8);国防科技预研 (批准号 :J8.2 .3.JW 0 70 3);高校博士点基金资助项目~~

摘　　要：提出了一种利用与 CMOS工艺相容的铁电薄膜来实现使一般逻辑电路成为非挥发性的新技术 .通过电路模拟及对锁存器和触发器实验电路进行测试 。A new technology of realization of nonvolatile logic circuits by using ferroelectric thin film which is compatible with CMOS processing is presented.The correct circuit simulation and testing results for experimental latch circuit and flip flop circuit illustrate that the new technology of ferroelectric nonvolatile logic circuits is feasible.

关 键 词：逻辑电路 挥发性 铁电薄膜 锁存器 

分 类 号：TN791[电子电信—电路与系统]