镓特半导体发布GaN-on-GaN垂直器件外延结构  

出　　处：《半导体信息》2020年第3期13-14,共2页Semiconductor Information

摘　　要：垂直氮化镓功率器件具有革新功率器件产业的潜力,尤其在对电压有较高要求方面的应用,如600V以上的垂直氮化镓器件。根据材料的物理特性,相较于传统的硅基功率器件和新出现的纯碳化硅功率器件,在特定的击穿电压下,氮化镓器件的导通电阻更低。水平氮化镓功率器件,即硅基氮化镓高迁移率晶体管(HEMTs)与硅器件在低电压市场竞争,氮化镓更胜一筹,这也证明了氮化镓材料的优越性。垂直氮化镓功率器件将有望与纯碳化硅功率器件角逐高电压市场。在前两年,碳化硅器件在高电压应用市场获得了一定的市场份额,一些公司已扩产了6英寸和8英寸的碳化硅。相比之下,垂直氮化镓器件还未进行商业化销售,且仅有极少的供应商能生长出直径为4英寸的氮化镓晶圆片。增加高质量的氮化镓晶圆片的供应对于垂直氮化镓器件的发展至关重要。

关 键 词：氮化镓 功率器件 导通电阻 击穿电压 碳化硅器件 晶圆片 HEMTS 外延结构 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]