晶圆片

作品数：45被引量：54H指数：3
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相关机构：至微半导体(上海)有限公司天津中环领先材料技术有限公司中环领先半导体材料有限公司清华大学更多>>
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激光在硅片中嵌入纳米级元件
《科技纵览》2024年第9期16-17,共2页Edd Gent 
位于土耳其安卡拉的比尔肯大学的一个工程师团队实现了在硅晶片表面下方而非硅晶片的表面上打造一个纳米级元件.为了实现这个目标,他们使用了一种名为贝塞尔光束的特殊类型的激光,这种激光的光线可以穿过晶圆片的表面,并与下面的硅相互...
关键词：贝塞尔光束 硅晶片 晶圆片 二维结构 特殊类型 硅片 激光 纳米级 
局域芯片分布特征辨识及自适应变步长扫描与匹配
《计算机集成制造系统》2024年第4期1273-1285,共13页吴涛 周意 黄智雄 叶玮琳 吴福培 李斌 
广东省自然科学基金资助项目(2018A030307049,2021A1515010661);广东省科技计划资助项目(STKJ2021027)。
为解决LED芯片检测与分选中的漏扫、匹配错误等关键问题,提出自适应变步长扫描方法。该方法对当前局域分布特性进行分析,利用晶圆片局部形变的连续性与保持性对邻近区域芯片分布进行预测,实施步长调整。在检测端,提出基于8邻域位置模型...
关键词：晶圆片映射视图 逻辑归一化 主动遍历 位置关系 索引匹配 
基于Bi_(2)O_(3)-B_(2)O_(3)体系的陶瓷结合剂金刚石砂轮制备及其对单晶硅的磨削性能被引量：2
《金刚石与磨料磨具工程》2023年第4期432-439,共8页白福厚 廖燕玲 轩闯 张凤林 
广东省珠江本土创新团队项目(2017BT01C169);佛山市核心技术攻关项目(1920001000361)。
针对陶瓷结合剂烧结温度高的问题,提出一种基于Bi_(2)O_(3)-B_(2)O_(3)的新型低温陶瓷结合剂。分析添加纳米SiC和纳米ZrO_(2)对结合剂物相组成、流动性和力学性能的影响,并探索添加核桃壳粉造孔剂对金刚石砂轮微观形貌的影响;制备基于Bi...
关键词：陶瓷结合剂金刚石砂轮 单晶硅晶圆片 力学性能 磨削性能 
基于YOLO算法与机器视觉的晶圆片表面缺陷检测研究被引量：17
《新型工业化》2021年第12期114-117,共4页于志斌 胡泓 
针对分立器件晶圆片人工目视检测存在效率低和误检率高等问题,提出了一种基于YOLO算法与机器视觉的晶圆缺陷检测方法。首先对晶粒数据集进行增广,再训练YOLO v4网络用于对晶粒位置进行定位。针对氧化层残留缺陷,开运算去除小区域,利用...
关键词：YOLO 机器视觉 晶圆 缺陷检测 
HVPE法制备碳掺杂半绝缘氮化镓晶圆片
《广东化工》2021年第9期13-15,共3页赖云 罗晓菊 王现英 
国家自然科学基金(62071300,62071300);上海市科学技术委员会(18511110600,19 zr1435200);上海市教委创新项目(2019-01-07-00-07-E00015);上海学术研究领导人项目(19XD1422900);上海经济和信息化委员会(GYQJ-2019-1-23)。
利用氢化物气相外延法(HVPE)生长,以甲烷为掺杂源,成功制备获得四英寸自支撑半绝缘氮化镓(GaN)晶圆片。所使用掺杂气体为浓度为5%的甲烷气体,混合于N_(2)载气中。所制备晶圆片厚度可达800μm以上,表面无裂纹,表明粗糙度在0.6 nm以下。(0...
关键词：氢化物气向外延 氮化镓 晶体生长 碳掺杂 晶圆片 
湖北三安Mini/Micro LED项目正式投产
《半导体信息》2021年第2期39-40,共2页
近期,三安光电在高端产业领域的动态连连。一方面,湖北三安Mini/Micro LED项目正式投产;另一方面,三安集成的碳化硅晶圆制造基地也将于下半年投产。湖北三安第一批晶圆片正式投料根据国家葛店经开区消息显示,4月16日,湖北三安III-V族化...
关键词：化合物半导体 晶圆制造 高端产业 LED芯片 经开区 三安光电 晶圆片 投料 
变温LPCVD沉积氮化硅薄膜的均匀性优化被引量：3
《微纳电子技术》2021年第3期271-277,共7页任攀 魏明蕊 武鹏科 马少宇 刘贝贝 王尉 孙妍 
以低压化学气相沉积(LPCVD)热壁立式炉为实验平台,由二氯硅烷和氨通过LPCVD工艺合成氮化硅薄膜,利用降温成膜提高氮化硅薄膜的膜厚均匀度。基于气体碰撞理论建立了氮化硅薄膜沉积速率与反应气体浓度的关系式。分析比较了LPCVD炉内不同...
关键词：低压化学气相沉积(LPCVD) 均匀度 氮化硅 变温沉积 晶圆片内(WIW) 
GaAs/Si晶圆片键合偏差及影响因素研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2021年第1期10-13,40,共5页郭怀新 戴家赟 潘斌 周书同 孔月婵 陈堂胜 朱健 
国家自然科学基金资助项目(61904162)。
针对化合物半导体与Si基晶圆异质集成中的热失配问题,利用有限元分析方法开展GaAs半导体与Si晶片键合匹配偏差及影响因素研究,建立了101.6 mm(4英寸)GaAs/Si晶圆片键合匹配偏差评估的三维仿真模型,研究了不同键合结构和工艺对GaAs/Si晶...
关键词：GaAs/Si晶圆 晶圆键合 热失配 匹配偏差 
镓特半导体发布GaN-on-GaN垂直器件外延结构
《半导体信息》2020年第3期13-14,共2页
垂直氮化镓功率器件具有革新功率器件产业的潜力,尤其在对电压有较高要求方面的应用,如600V以上的垂直氮化镓器件。根据材料的物理特性,相较于传统的硅基功率器件和新出现的纯碳化硅功率器件,在特定的击穿电压下,氮化镓器件的导通电阻...
关键词：氮化镓 功率器件 导通电阻 击穿电压 碳化硅器件 晶圆片 HEMTS 外延结构 
滚刷自清洁晶圆片刷洗装置被引量：1
《山西电子技术》2019年第3期15-16,共2页师开鹏 孙德全 张峰 王海军 
晶圆片刷洗过程中,滚刷在刷洗晶圆片的同时也会在自身滞留大量脏污,影响下一批次晶圆片的刷洗质量和自身使用寿命,为了解决该问题,本人研究设计了一套滚刷自清洁晶圆片刷洗装置,该装置在对晶圆片进行刷洗同时,也能对自身进行清洁。
关键词：半导体 晶圆 刷洗 自清洁 
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