碳基纳电子的新进展(续)  

New Progress in Carbon-Based Nano Electronic(Continued)

作　　者：赵正平[1,2] Zhao Zhengping(China Electronics Technology Group Cor poration,Beijing 100846,China;Science and Technology on ASIC Laboratory,Shijiazhuang 050051,China)

机构地区：[1]中国电子科技集团公司科技委,北京100846 [2]专用集成电路重点实验室,石家庄050051

出　　处：《微纳电子技术》2020年第12期949-962,共14页Micronanoelectronic Technology

摘　　要：4 GFET MMIC大面积的CVD和外延石墨烯材料以及RF GFET的进展为石墨烯单片集成电路(MMIC)的发展奠定了材料和器件基础,由于石墨烯器件具有特有的双极性能、高电子迁移率、二维电子气、弹道输运以及独特的电子和机械性能等特性,目前石墨烯电子学在混频器、放大器、THz探测器、弹道整流器和柔性电路等五方面已有长足进步。

关 键 词：二维电子气 高电子迁移率 外延石墨烯 混频器 MMIC 双极性 弹道输运 整流器 

分 类 号：TN301[电子电信—物理电子学] O471.1[理学—半导体物理]