“光刻技术”专题前言  

作　　者：王向朝[1] 韦亚一[2] 邱建荣[3,4] 

机构地区：[1]中国科学院上海光学精密机械研究所 [2]中国科学院微电子研究所 [3]浙江大学光电科学与工程学院 [4]浙江大学微纳光子学研究所

出　　处：《激光与光电子学进展》2022年第9期I0001-I0002,共2页Laser & Optoelectronics Progress

摘　　要：集成电路是现代工业的基础。光刻机是集成电路制造的核心装备,其技术水平决定了集成电路的集成度几十年来,光刻机曝光波长从436 nm可见光波段减小到193 nm深紫外波段,再到目前最短的13.5 nm极紫外波段。投影物镜的数值孔径从初期的0.28增大到干式光刻机的0.93,再到浸液式光刻机的1.35。利用光学邻近效应校正、光源掩模联合优化、多重图形等分辨率增强技术,光刻工艺因子已突破理论极限。光刻机技术与光刻技术的不断进步,支撑着集成电路不断向更小技术节点发展。不断涌现的新技术、新工艺、新材料、新设备使得光刻技术水平不断提升,集成电路特征尺寸不断减小,目前已逼近尺寸微缩的物理极限。

关 键 词：光刻技术 集成电路制造 光刻机 光刻工艺 投影物镜 数值孔径 理论极限 紫外波段 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]