气相沉积技术制备氧化锰薄膜及其组分调控的研究进展  

Progress in Preparation of Manganese Oxide Films by Vapor Deposition and Component Regulation

作　　者：任家轩 方弘历 杨斗豪 刘博文 王正铎[1] 刘忠伟[1] REN Jiaxuan;FANG Hongli;YANG Douhao;LIU Bowen;WANG Zhengduo;LIU Zhongwei(Laboratory of Plasma Physics and Materials,Beijing Institute of Graphic Communication,Beijing 102600,China)

机构地区：[1]北京印刷学院等离子体物理与材料研究室,北京102600

出　　处：《北京印刷学院学报》2024年第3期67-72,共6页Journal of Beijing Institute of Graphic Communication

基　　金：中国国家自然科学基金(12075032);云南省刑事科学技术重点实验室开放课题(YJKF002);北京印刷学院项目(21090123007)研究成果。

摘　　要：本文介绍了利用气相沉积技术,包括物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积等技术制备氧化锰薄膜以及组分调控的研究现状,重点介绍了等离子体辅助化学气相沉积/原子层沉积氧化锰薄膜的研究进展,对所使用的锰前驱体做了总结,并展望了氧化锰薄膜的发展趋势。In this paper,we introduce the preparation of manganese oxide films by vapor deposition method and component regulation,including physical vapor deposition,chemical vapor deposition and atomic layer deposition.In particular,the technique of plasma enhanced chemical vapor deposition/atomic layer deposition is summarized.And the prospect and the development of the manganese oxide film are given.

关 键 词：氧化锰薄膜 物理气相沉积 化学气相沉积 原子层沉积 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]