Si(111)衬底GaN薄膜的制备与特性  

作　　者：杨莺歌[1] 马洪磊[1] 郝晓涛[1] 马瑾[1] 薛成山[2] 庄惠照[2] 

机构地区：[1]山东大学物理与微电子学院,济南250100 [2]山东师范大学半导体研究所,济南250014

出　　处：《中国科学（A辑）》2002年第12期1102-1105,共4页Science in China(Series A)

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:6771006)

摘　　要：用溅射后退火反应法在Si(111)衬底上制备的高质量GaN薄膜.XRD,XPS,SEM和PL测量结果表明该方法制备的GaN是六角纤锌矿结构的多晶.GaN的最大晶粒尺寸约为100 nm.在354 nm处发现强室温光致发光峰,带隙相对于体GaN发生了轻微蓝移.

关 键 词：SI(111)衬底 GAN薄膜 制备 光致发光 氮化镓薄膜 硅衬底 溅射后退火反应法 半导体材料 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]