国产氮化镓半桥模块面世,体积缩小67%  

出　　处：《变频器世界》2024年第11期38-39,共2页The World of Inverters

摘　　要：11月8日,国星光电宣布,旗下子公司风华芯电于近日成功开发出基于扇出面板级封装的D-mode氮化镓半桥模块。据了解,该模块在封装形式上取得新突破,采用自主研发的扇出面板级封装形式,其通过铜球键合工艺实现氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)和硅(Si MOS)芯片的凸点结构,借助再布线层(RDL)的镀铜工艺实现互连,达到4个功率管有效互连效果,并形成半桥拓扑结构,实现模块内部结构的高密度集成,减少产品体积,提升性能优势。

关 键 词：封装形式 镀铜工艺 产品体积 功率管 键合工艺 氮化镓 提升性能 

分 类 号：TP3[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]