短沟道离子注入GaAs MESFET解析模型  

Analytical Model for Ⅰ-Ⅴ Characteristics of Short-Channel GaAs MESFET's with Ion Implantation Doping

作　　者：黄庆安[1] 吕世骥[1] 童勤义 

机构地区：[1]东南大学微电子中心

出　　处：《东南大学学报（自然科学版）》1992年第6期23-29,共7页Journal of Southeast University：Natural Science Edition

摘　　要：本文提出了一种新的离子注入短沟道GaAsMESFET直流解析模型,并将解析模型与实验数据进行了比较。结果表明,本文提出的解析模型可以同时描述高、中和低夹断电压的短沟道离子注入GaAs MESFET直流特性.A new analytical model of a short-channel GaAs MESFET with ion implantation doping is proposed. The model is compared with experiments. The results show that this model would be applied to a simulation of ion-implanted GaAs MESFET's for high, middle and low pinchoff voltages simultaneously.

关 键 词：离子注入 晶体管模型 MESFET GAAS 

分 类 号：TN386.6[电子电信—物理电子学]