GaN外延膜厚度的X射线双晶衍射测量  

作　　者：冯淦[1] 朱建军[1] 沈晓明[1] 张宝顺[1] 赵德刚[1] 王玉田[1] 杨辉[1] 梁骏吾[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京100083

出　　处：《中国科学（G辑）》2003年第2期122-125,共4页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:69825107);国家杰出青年基金(批准号:5001161953);NSFC-RGC联合基金(批准号:N_HKU028/00)

摘　　要：提出了一种利用X射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法。该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度,此比值与GaN样品厚度在t<2μm为线性关系。该方法消除了因GaN吸收造成的影响,比单纯用GaN积分强度与样品厚度的关系推算GaN外延膜厚度精度更高,更方便可靠。

关 键 词：GAN 外延膜 厚度测量 X射线双晶衍射 氮化镓 薄膜 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]