亚微米尺寸元件的离子束刻蚀制作  

Fabrication of Submicron Elements by Ion Beam Etching

作　　者：曹召良[1] 陆广[2] 王吉增[3] 杨柏[2] 卢振武[1] 李凤有[1] 任智斌[1] 刘玉玲[1] 

机构地区：[1]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 [2]吉林大学化学学院 [3]白城师范学院,白城137000

出　　处：《光子学报》2003年第6期653-656,共4页Acta Photonica Sinica

基　　金：国家自然科学基金 ( 6 0 0 780 0 6 );教育部博士点基金;中国科学院创新基金资助项目

摘　　要：采用软光刻技术中的微接触印刷 (μCP)技术、表面诱导的水蒸气冷凝、表面诱导的去湿行为 ,在金基底上制作出了亚微米的环状周期结构聚合物掩膜 通过对离子束刻蚀过程中各个参量对刻蚀元件的表面光洁度、轮廓保真度和线宽分辨的影响分析 ,结合掩膜的实际情况选择出了合适的离子束入射角、离子能量、束流密度和刻蚀时间等参量 依照这些参量刻蚀出了高质量的亚微米尺寸环状周期结构元件 通过对刻蚀出的元件的检测发现 ,刻出的元件表面光洁度。The microcontact printing(μCP)technique, surface directed condensation and surface directed dewetting are used to fabricate the submicron ring periodic polymer mask on gold surface. Then through the analysis of the effects of each parameter on the surface smoothness, profile fidelity and linewidth resolution in the process of ion etching, the suitable angle of incident ion beam, ion energy, density of ion beam and time of etching are selected combining the actual status of the mask. The submicron ring periodic structure is fabricated by ion etching according to the selected parameter. According to the measurement of the element, it is shown that the surface smoothness, profile fidelity and steep sidewall are very well.

关 键 词：离子束刻蚀 制作技术 亚微米尺寸元件 离子能量 束流密度 刻蚀速率 表面光洁度 软光刻 衍射光学元件 集成电路 亚波长光栅 

分 类 号：TN405.98[电子电信—微电子学与固体电子学] TH741.6[机械工程—光学工程]