氮化镓雪崩光电二极管实现紫外光子计数  

作　　者：高国龙 

出　　处：《红外》2001年第12期40-40,共1页Infrared

摘　　要：美国麻省理工学院林肯实验室的研究人员利用氮化镓(GaN)雪崩光电二极管实现了紫外光子计数。该器件结构包括一层0.6μm厚的掺硅层、一层非故意掺杂层和一层0.2μm厚的掺锌层。

关 键 词：氮化镓 雪崩光电二极管 紫外光子计数 偏压 穿电压 GAN 

分 类 号：TN364[电子电信—物理电子学]