等离子体化学气相沉积反应中对温度因素的控制  

The Effect on the Temperature of Plasma Vapour Deposition

作　　者：谢雁[1] 赵程[1] 彭红瑞[1] 李世直[1] 

机构地区：[1]青岛化工学院等离子体表面技术研究所

出　　处：《表面工程》1996年第4期26-28,共3页

基　　金：国家计委"八五"攻关项目

摘　　要：采用了外加热式直流等离子体化学气相沉积及渗金属工艺并在放电工件上直接测温的方法，克服了高于轰击加热引起的温度不均匀等因素并且膜的结构及力学性能得以改善。By the use of hot wall furnace D. C plasma vapour deposition method, the workpiece temperature was driect measured. It Fas a advantage with different geometries of workpieces and for different workload the temperature be controlled. The structure of deposited film was studied.

关 键 词：等离子体 化学气相沉积 放电 外加热 测温 离子轰击 

分 类 号：TG174.444[金属学及工艺—金属表面处理]