射频溅射两步法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜  

Two-step deposition of cubic boron nitride thin film by RF sputtering technique

作　　者：冯贞健[1] 邢光建[1] 陈光华[1] 于春娜[1] 荣延栋[1] 

机构地区：[1]北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室,北京100022

出　　处：《科技通讯（上海）》2004年第1期14-18,共5页

基　　金：~~

关 键 词：立方氮化硼薄膜 射频溅射 制备 粘附性 两步法 

分 类 号：O484.5[理学—固体物理]