于春娜

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室更多>>
发文主题：立方氮化硼异质结两步法C-BN立方氮化硼薄膜更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《北京工业大学学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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射频溅射两步法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜被引量：1
《科技通讯（上海）》2004年第1期14-18,共5页冯贞健 邢光建 陈光华 于春娜 荣延栋 
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关键词：立方氮化硼薄膜 射频溅射 制备 粘附性 两步法 
立方氮化硼(c-BN)薄膜的光学带隙被引量：1
《北京工业大学学报》2003年第3期381-384,共4页冯贞健 于春娜 陈光华 
国家自然科学基金(69876003;19874007)
用两步射频溅射法在n型Si(111)片和熔融石英片上沉积出不同体积分数的立方氮化硼(c-BN)薄膜,薄膜的成分由傅里叶红外吸收谱标识;用紫外-可见分光光度计测量了沉积在石英片上的BN薄膜的透射光谱T_e(λ)和反射光谱R_e(λ),薄膜的厚度用台...
关键词：立方氮化硼薄膜 射频溅射 光学带隙 
cBN/SiN-p异质结的电学性质研究
《固体电子学研究与进展》2002年第4期483-486,共4页陈光华 邓金祥 宋雪梅 李茂登 于春娜 冯贞健 
用射频溅射系统成功制备出 c BN/ Si N-p异质结 ,并系统研究了其电学性质。掺硫 (S)的 n型 c-BN薄膜用 1 3 .5 6MHz射频溅射系统沉积在 P型 Si(1 0 0 ) (8～ 1 5 Ω·cm)衬底上 ,靶材为 h-BN靶 (纯度达 99.99% )。溅射气体为氩气和氮气...
关键词：立方氮化硼/硅N-p异质结 伏-安特性 电容-电压特性 
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