李茂登

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供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：CBN半导体伏-安特性溅射制备立方氮化硼薄膜更多>>
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cBN/SiN-p异质结的电学性质研究
《固体电子学研究与进展》2002年第4期483-486,共4页陈光华 邓金祥 宋雪梅 李茂登 于春娜 冯贞健 
用射频溅射系统成功制备出 c BN/ Si N-p异质结 ,并系统研究了其电学性质。掺硫 (S)的 n型 c-BN薄膜用 1 3 .5 6MHz射频溅射系统沉积在 P型 Si(1 0 0 ) (8～ 1 5 Ω·cm)衬底上 ,靶材为 h-BN靶 (纯度达 99.99% )。溅射气体为氩气和氮气...
关键词：立方氮化硼/硅N-p异质结 伏-安特性 电容-电压特性 
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