热激励硅谐振式压力传感器的研制  

Development of Thermally Excited Si Resonant Pressure Sensor

作　　者：高晓童[1] 崔大付[1] 陈德勇[1] 王利[1] 王蕾[1] 

机构地区：[1]中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京100080

出　　处：《仪表技术与传感器》2004年第4期1-2,共2页Instrument Technique and Sensor

摘　　要：介绍了基于表面微加工工艺和多孔硅牺牲层技术,设计并制作出梁膜一体化的热激励硅谐振梁压力传感器,给出了制作的工艺过程和参数,测试了传感器在真空中开环状态下的谐振频率-压力特性及幅频特性,其灵敏度达到54 89Hz/kPa,Q值大于20000,0～300kPa范围内线性相关系数为0 9997。Using porous silicon as a sacrificial layer,a thermally excited Si-based resonant pressure sensor with integrated Si3N4 resonant beam and Si reflecting membrane is fabricated successfully through surface micromachining processes.Open loop test is executed in vacuum.The sensitivity of the sensor is 54.89 Hz/kPa with a linear correlation coefficient of 0.999 7 over a range of 0～300 kPa,and the Q factor is bigger than 20 000.

关 键 词：谐振梁 压力传感器 多孔硅 热激励 牺牲层 研制 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]