国防科技技术预先研究基金(9140A08040410DZ106)

作品数：4被引量：4H指数：1
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相关作者：徐大庆李培咸张义门童军刘树林更多>>
相关机构：西安科技大学西安电子科技大学更多>>
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相关领域：理学更多>>
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空位缺陷及Mg替位对纤锌矿(Ga,Mn)N电子结构和磁光性能的影响被引量：1
《物理学报》2016年第19期238-249,共12页徐大庆 李培咸 娄永乐 岳改丽 张超 张岩 刘宁庄 杨波 
陕西省教育厅专项科研计划项目(批准号:11JK0912);西安科技大学科研培育基金项目(批准号:2010011)、西安科技大学博士启动金项目(批准号:2010QDJ029);国防预研究基金(批准号:9140A08040410DZ106);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JY10000925005)资助的课题~~
采用自旋密度泛函理论框架下的广义梯度近似(GGA+U)平面波超软赝势方法,构建了未掺杂纤锌矿GaN超胞、三种不同有序占位Mn双掺GaN,(Mn,Mg)共掺杂GaN以及存在空位缺陷的Mn掺杂GaN超胞模型,分别对所有模型的能带结构、电子态密度、能量以...
关键词：GaN 第一性原理 电子结构 磁光性能 
退火温度对GaN：Mn薄膜微结构、电学及磁学性能的影响被引量：1
《硅酸盐学报》2016年第7期981-986,共6页徐大庆 李培咸 娄永乐 李妤晨 
陕西省教育厅专项科研计划项目(11JK0912);西安科技大学科研培育基金项目(2010011);西安科技大学博士启动基金项目(2010QDJ029);国防预研究基金(9140A08040410DZ106);中央高校基本科研业务费专项资金(JY10000925005)资助
通过Mn离子注入非故意掺杂GaN外延层制备了GaN:Mn薄膜,研究了退火温度对其微结构、电学和磁学性能的影响。结果表明:所有样品均呈现为单晶纤锌矿结构;离子注入产生的相关缺陷在GaN:Mn薄膜中引起了新的声子模,分析认为Mn替代Ga位后所产...
关键词：锰掺杂氮化镓 微结构 铁磁性 磁交换相互作用 
Mn离子注入Mg掺杂GaN的微结构和光学特性研究被引量：2
《功能材料》2015年第14期14019-14022,共4页徐大庆 张义门 李培咸 娄永乐 刘树林 童军 
国防预研基金资助项目(9140A08040410DZ106);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JY10000925005);陕西省教育厅专项科研计划资助项目(11JK0912);西安科技大学科研培育基金资助项目(2010011);西安科技大学博士启动资金资助项目(2010QDJ029)
通过Mn离子注入Mg掺杂GaN外延层制备了铁磁性GaN∶Mn薄膜,利用拉曼散射和光致发光谱研究了退火温度对薄膜微结构和光学特性的影响。拉曼谱测试显示由离子注入相关缺陷引起了新的声子模,分析认为Mn离子相关的局域振动(LVM)紧邻Ehigh2峰...
关键词：GAN 离子注入 拉曼散射 光致发光 
热退火对Mn离子注入非故意掺杂GaN微结构、光学及磁学特性的影响
《物理学报》2014年第4期284-289,共6页徐大庆 张义门 娄永乐 童军 
陕西省教育厅科研计划项目(批准号:11JK0912);西安科技大学科研培育基金(批准号:2010011);西安科技大学博士科研启动基金(批准号:2010QDJ029);国防预研基金(批准号:9140A08040410DZ106);中央高等学校基本科研业务费(批准号:JY10000925005)资助的课题~~
通过Mn离子注入非故意掺杂GaN外延层制备了GaN:Mn薄膜,并研究了退火温度对GaN:Mn薄膜的微结构、光学及磁学特性的影响.对不同退火温度处理后的GaN:Mn薄膜的拉曼谱测试显示,出现了由与离子注入相关的缺陷的局域振动(LV)和(Ga,Mn)N中Mn离...
关键词：Mn掺杂GaN 光致发光 室温铁磁性 退火 
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