国家科技重大专项(20118X02506)

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Si_(1-x-y)Ge_xC_y的淀积工艺和材料特性
《半导体技术》2012年第7期517-521,571,共6页肖胜安 季伟 
国家科技重大专项资助项目(20118X02506)
研究了利用减压外延的方法制备Si1-x-yGexCy薄膜的特性及与工艺参数之间的关系,给出了改善表面粗糙度、减少有源区关键尺寸(CD)减少量的方法。在单晶硅、图形硅片α-Si和光片α-Si表面Si1-x-yGexCy上淀积的Si1-x-yGexCy薄膜的表面形貌不...
关键词：SI1-X-YGEXCY 异质结双极晶体管 有源区CD减少 STI凹陷 硼扩散 
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