教育部科学技术研究重点项目(206095)

作品数：6被引量：7H指数：1
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相关期刊：《湖北工业大学学报》《湖南工业大学学报》《现代商贸工业》《电子设计工程》更多>>
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嵌入式技术在特种工业缝纫机上的应用被引量：4
《电子设计工程》2014年第7期154-157,160,共5页肖春华 张洪涛 
教育部重点科技项目(206095);湖北省教育厅课题(2008B223);武汉市科研课题(2011108);武汉软件工程职业学院课题(2011002)
为解决国外工业缝纫机控制系统价格昂贵,国内用户难以接受的现实问题,通过基于ARM和FPGA的嵌入式技术,完成了一款特种工业缝纫机的控制部分的技术方案,提出相关硬件模块的设计和设计过程中应该注意的问题。软硬件平台具有良好的通用性...
关键词：工业缝纫机 嵌入式技术 硬件设计 
基于GPRS modem嵌入式Internet的实现被引量：1
《现代商贸工业》2011年第8期241-243,共3页肖春华 张洪涛 祝勋 卢高杰 耿晶晶 
湖北省教育厅重大项目(2001Z01007);湖北省教育厅重点项目(D200614002);湖北省教育厅国际交流合作项目(鄂教外2006[5]);教育部重点科技项目(206095)基金共同资助
根据现代信息农业的发展需求,在嵌入式无线远程环境监测系统的研究的基础之上,成功地完成了GPRSmodem的internet接入。远端基于ARM的嵌入式模块在μC/OS-Ⅱ操作系统的调度下实现信号的采集,在通过串口与模块相连的GPRSmodem与Internet...
关键词：嵌入式系统 GPRSmodern μC/OS-Ⅱ AT指令 
室温似单电子晶体管高电流分析
《湖南工业大学学报》2009年第2期69-72,共4页张洪涛 许正望 李利荣 黄杰 王琰 宋玲 
教育部重点科技基金资助项目(206095);教育部留学回国人员科研启动基金资助项目(教外司留[2006]331号);湖北省教育厅重点基金资助项目(D200614002)
在实验中观察到纳米线金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)室温下出现Ⅰ-Ⅴ高电流似单电子库仑阻塞特性。分析了这一现象产生的机理,提出了似单电子库仑阻塞模型,认为纳米线晶体中的结构发生变...
关键词：纳米线MOSFET 单电子晶体管 Ⅰ-Ⅴ大电流 电子对 
未掺杂纳米线高电阻与其晶体微结构光电性质
《湖北工业大学学报》2006年第6期4-6,共3页张洪涛 邬易培 鲁宇宁 许正望 
教育部重点科技项目(206095);湖北省教育厅重点项目(D200614002);教育部出国留学回国人员基金;湖北省教育厅重大项目(2000Z0017);湖北省教育厅对外科技交流项目(鄂外教2006[25])
讨论了纳米线的电阻测量及引起高电阻的原因,即宽带多型、纳米尺寸和未掺杂本征阻值大等.对纳米碳化硅线分别进行了直径为5 nm、10 nm、20 nm纳米线电阻测量,在电压为100 V以内测量其电阻达100 MΩ.此外,纳米线MOSFET晶体管室温出现I-V...
关键词：纳米线 碳化硅 电阻 似单电子效应 COOPER对 室温 
纳米线MOSFET量子电容讨论被引量：2
《武汉工业学院学报》2006年第4期29-31,共3页张洪涛 
教育部重点科技项目(206095);湖北省教育厅重点项目(D200614002);湖北工业大学科研启动基金(湖工大科1号文);湖北省教育厅重大项目(2000ZD007);湖北省对外科技交流基金(鄂教外[2006]25);教育部回国人员启动基金
讨论了纳米线MOSFET量子电容测量及影响因素,同时讨论了计算方法,得出量子电容为1.2 aF。观察到室温单电子遂穿现象,是一个单电子晶体管。提出了一种新的模型,解释室温出现大电流单电子库仑阻塞效应,认为是类似于库柏对电子对纳米线岛...
关键词：纳米线 碳化硅 量子电容 单电子晶体管 库柏对 
基于TI DSP的红外图像采集系统硬件设计
《湖北工业大学学报》2006年第5期32-34,共3页张洪涛 陈志华 
湖北省教育厅重点项目(D200614002);教育部重点科技项目(206095);教育部出国留学回国人员基金;湖北省教育厅重大项目(2000Z0017);湖北省教育厅对外科技交流项目(鄂外教2006[25])
介绍了一种基于高性能定点数字信号处理器(DSP)TMS320C6416的红外图像处理系统.本系统以DSP为核心处理器.辅以单片机统一系统时序,完成红外视频采集、图像增强和视频输出的功能.适应性实用性强,调试方便.
关键词：数字信号处理器 红外图像处理 视频 
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