云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(2007CB310406)

国家重点基础研究发展计划(2007CB310406): 作品数：22被引量：74H指数：6; 导出分析报告; 相关作者：施卫王馨梅薛红马湘蓉屈光辉更多>>; 相关机构：西安理工大学渭南师范学院上海交通大学中国工程物理研究院更多>>; 相关期刊：《光学学报》《Communications in Computational Physics》《Chinese Optics Letters》《电工技术学报》更多>>; 相关主题：光电导开关光电半导体开关光激发GAAS光电导开关电荷更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程核科学技术更多>>

GaAs光电导开关非线性锁定效应的机理研究被引量：5: 《西安理工大学学报》2011年第4期407-410,共4页薛红施卫纪卫莉韩小卫; 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2007CB310406);国家自然科学基金资助项目(50837005;10876026); 根据光激发电荷畴模型,研究强电场条件下,半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的瞬态输运过程及载流子与晶格相互作用的性质,并对光激发单极电荷畴的形成、生长、输运及达到稳定平衡状态的全过程进行了分析。认为GaAs光电导开关的非线性锁...; 关键词：光电导开关锁定效应光激发单极电荷畴非平衡载流子

GaAs光电导开关激子效应的光电导特性: 《西安理工大学学报》2011年第2期151-155,共5页马湘蓉施卫; 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2007CB310406);国家自然科学基金资助项目(50837005;10876026); 从GaAs光电导开关的激子效应和光激发电荷畴理论基础出发,研究了强电场触发下GaAs光电导开关激子效应的光电导特性;光激发电荷畴与激子效应的相互作用以及激子的形成、传输及离解过程形成自由电子和空穴,为激子激发光电导提供了必要的...; 关键词：GAAS光电导开关光激发电荷畴激子效应光电导特性

Research on electrical pulse of 20-kV/30-Hz GaAs photoconductive switches: 《Chinese Optics Letters》2011年第6期104-106,共3页刘红王静荔张琳忻斌杰王馨梅施卫; supported by the National Natural Science Foundation of China (Nos. 50837005 and 10876026);the Foundation of the State Key Laboratory of Electrical Insulation for Power Equipment (No. EIPE09203);the National Basic Research Program of China (No.2007CB310406); Photoconductive semiconductor switches （PCSSs） are widely used in high power ultra-wideband source applications and precise synchronization control due to their high power low-jitter high-repetition-frequency. In th...; 关键词：Electric switchgear Gallium alloys JITTER Photoconducting devices PHOTOCONDUCTIVITY Semiconducting gallium Semiconductor switches

沿面闪络和丝状电流对光电导开关的损伤机理被引量：3: 《电工技术学报》2010年第10期129-135,共7页马湘蓉施卫薛红纪卫莉; 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2007CB310406);国家自然科学基金(50837005;10876026)资助项目; 通过对电极间隙为3mm和8mm半绝缘GaAs光电导开关损伤实验研究发现,引起开关损伤的主要机制是沿面闪络和丝状电流。沿面闪络是在高偏置电压条件下GaAs材料在热传导过程中表现的熔化?再结晶现象,对开关造成了致命性损伤;而丝状电流是开关...; 关键词：半绝缘GaAs光电导开关沿面闪络丝状电流损伤

半绝缘GaAs光电导开关的瞬态热效应被引量：8: 《物理学报》2010年第8期5700-5705,共6页施卫马湘蓉薛红; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB310406);国家自然科学基金(批准号:50837005和10876026);电力设备电气绝缘国家重点实验室(批准号:EIPE09203)资助的课题~~; 实验用波长1064nm,触发光能为1.0mJ的激光脉冲触发电极间隙为4mm的半绝缘GaAs光电导开关,当光电导开关的偏置电压达到3800V时,开关进入非线性(lock-on)工作模式,在偏置电场和触发光能不变的条件下,开关输出稳定的非线性电脉冲,1500次触...; 关键词：半绝缘GaAs光电导开关热弛豫效应光激发电荷畴-声子曳引效应丝状电流

Terahertz emission in tenuous gases irradiated by ultrashort laser pulses: 《Chinese Physics C》2009年第S2期142-145,共4页王伟民盛政明武慧春陈民李春张杰 K. Mima; Supported by National Natural Science Foundation of China (10425416, 10674175, 60621063);National High-Tech ICF Com-mittee in China and National Basic Research Program of China (2007CB310406); Mechanism of terahertz (THz) pulse generation in gases irradiated by ultrashort laser pulses is investigated theoretically. Quasi-static transverse currents produced by laser field ionization of gases and the longitud...; 关键词：Terahertz emission ionization of gases plasma formation particle-in-cell simulations

Ga_2As团簇结构及其电光特性的研究: 《西安理工大学学报》2009年第3期275-278,共4页马德明施卫李恩玲; 国家重点基础研究发展计划资助项目(2007CB310406);国家自然科学基金资助项目(50837005;10876026;10876025);西安理工大学创新基金资助项目(108-210705); 利用密度泛函理论(DFT)B3LYP泛函方法,在6-31G*水平上计算研究了Ga2As,Ga2As-和Ga2As+团簇的几何结构和电光特性,得到各团簇的基态和亚稳态结构,计算的团簇振动频率与实验结果吻合较好。分析结果表明,带电原子间的静电库仑作用变化使得...; 关键词：Ga2As团簇密度泛函理论(DFT) 几何结构电光特性

半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的光电导振荡特性被引量：7: 《物理学报》2009年第12期8554-8559,共6页施卫薛红马湘蓉; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB310406);国家自然科学基金(批准号:50837005;10876026);陕西省教育厅专项科研基金(批准号:09JK431);渭南师范学院科研基金(批准号:08YKF022;09YKZ021)资助的课题~~; 用波长为532nm、脉冲宽度为5ns的超短激光脉冲触发电极间隙为4mm的半绝缘GaAs光电导开关,开关偏置电压从500V开始以步长50V逐渐增加,直到开关出现非线性电脉冲输出.研究表明,线性和非线性电脉冲波形均呈现出在经历一个主脉冲之后,其后...; 关键词：光电导开关热电子弛豫光电导振荡

超快光电导开关瞬态电阻计算方法被引量：1: 《西安理工大学学报》2009年第2期146-150,共5页屈光辉施卫贾婉丽; 国家自然科学基金资助项目(50477011);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2007CB310406); 应用电磁学原理,研究了光电导开关输出电流中的位移电流和传导电流,认为位移电流可以由内建电场变化和负载分压过程引起。内建电场变化引起的位移电流在大间隙光电导开关中可以忽略;负载分压引起的位移电流能够抑制光电导开关输出电流...; 关键词：光电导开关位移电流全电流模型

光电导天线太赫兹辐射研究被引量：8: 《激光与光电子学进展》2009年第7期45-48,共4页杜海伟; 国家973计划(2007CB310406)资助课题; 利用超短激光脉冲触发光电导天线产生太赫兹波是目前研究比较深入,同时得到广泛采用的一种太赫兹波源。电流瞬冲模型能较好地解释光电导天线辐射太赫兹波的机理,并且与实验相吻合,因而被普遍接受。影响光电导天线的因素有材料性质、偏...; 关键词：太赫兹波光电导天线电流瞬冲模型饱和特性

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