国家科技重大专项(2011ZX02505)

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基于SOI工艺的高可靠有源像素研究
《电子器件》2013年第6期769-773,共5页田犁 苗田乐 危峻 汪辉 
国家科技重大专项02专项项目(2011ZX02505)
基于SOI衬底材料提出了一种新型的CMOS图像传感器有源像素结构,建立了与之相对应的二维器件仿真模型,利用Sentaurus Device仿真工具对该结构的单粒子效应(Single-Event Effects)进行了模拟仿真研究。仿真结果显示在像素周围引入P+重掺...
关键词：微电子学与固体电子学 有源像素 P+重掺杂保护层 单粒子效应 电荷分享 
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