苗田乐

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院上海高等研究院更多>>
发文主题：图像传感器CMOS图像传感器动态范围感光器件感光元件更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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基于SOI工艺的高可靠有源像素研究
《电子器件》2013年第6期769-773,共5页田犁 苗田乐 危峻 汪辉 
国家科技重大专项02专项项目(2011ZX02505)
基于SOI衬底材料提出了一种新型的CMOS图像传感器有源像素结构,建立了与之相对应的二维器件仿真模型,利用Sentaurus Device仿真工具对该结构的单粒子效应(Single-Event Effects)进行了模拟仿真研究。仿真结果显示在像素周围引入P+重掺...
关键词：微电子学与固体电子学 有源像素 P+重掺杂保护层 单粒子效应 电荷分享 
基于RESURF理论的SOI LDMOS耐压模型研究(英文)被引量：2
《电子器件》2011年第1期17-20,共4页苗田乐 李文钧 王皇 郑伟 申屠旭丹 刘军 孙玲玲 
国家自然科学基金资助(60806011)
对SOI LDMOS器件的击穿电压进行了研究,建立了适用于该器件的RESURF耐压模型,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI LDMOS器件漂移区的最优浓度,在此基础上将该模型嵌入半导体工艺模拟以及器件模拟软件(Sen-taurus TCAD)中,并...
关键词：SOI LDMOS 模型 RESURF TCAD 
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