郑伟

作品数：2被引量：4H指数：2
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供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院微电子CAD研究所更多>>
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所获基金：国家自然科学基金更多>>
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基于90nm低功耗NMOS工艺射频器件的版图优化被引量：2
《电子器件》2011年第6期645-648,共4页郑伟 李文钧 刘军 孙玲玲 
国家自然科学基金项目(60806011)
从器件版图结构的布局布线出发,提出了射频器件性能增强的的方法。寄生电容,寄生电阻会明显弱化大尺寸器件的射频性能,通过多个小尺寸单元管子的并联,形成大尺寸器件,从版图的布局布线出发,减小寄生电容,寄生电阻,优化器件结构,提升射...
关键词：RF—MOSFET 版图 寄生成分 电流增益截止频率 功率增益截至频率 
基于RESURF理论的SOI LDMOS耐压模型研究(英文)被引量：2
《电子器件》2011年第1期17-20,共4页苗田乐 李文钧 王皇 郑伟 申屠旭丹 刘军 孙玲玲 
国家自然科学基金资助(60806011)
对SOI LDMOS器件的击穿电压进行了研究,建立了适用于该器件的RESURF耐压模型,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI LDMOS器件漂移区的最优浓度,在此基础上将该模型嵌入半导体工艺模拟以及器件模拟软件(Sen-taurus TCAD)中,并...
关键词：SOI LDMOS 模型 RESURF TCAD 
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