王皇

作品数：2被引量：2H指数：1
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发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《电子器件》更多>>
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基于RESURF理论的SOI LDMOS耐压模型研究(英文)被引量：2
《电子器件》2011年第1期17-20,共4页苗田乐 李文钧 王皇 郑伟 申屠旭丹 刘军 孙玲玲 
国家自然科学基金资助(60806011)
对SOI LDMOS器件的击穿电压进行了研究,建立了适用于该器件的RESURF耐压模型,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI LDMOS器件漂移区的最优浓度,在此基础上将该模型嵌入半导体工艺模拟以及器件模拟软件(Sen-taurus TCAD)中,并...
关键词：SOI LDMOS 模型 RESURF TCAD 
MOS Model 20 Based RF-SOI LDMOS Large-Signal Modeling
《Journal of Semiconductors》2008年第10期1922-1927,共6页王皇 孙玲玲 余志平 刘军 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60706002)~~
A novel large-signal equivalent circuit model of RF-SOI LDMOS based on Philips MOS Model 20 （MM20） is presented. The weak avalanche effect and the power dissipation caused by self-heating are described. The RF paras...
关键词：RF-SOI LDMOS large-signal model MOS Model 20 harmonic power VERILOG-A 
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