“上海－应用材料研究与发展”基金(08520740600)

作品数：3被引量：8H指数：2
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AlGaN/GaN HEMT器件电流坍塌和膝点电压漂移机理的研究被引量：2
《物理学报》2010年第8期5730-5737,共8页王林 胡伟达 陈效双 陆卫 
国家自然科学基金(批准号:10747162);上海应用材料研究与发展基金(批准号:08520740600);中国科学院上海技术物理研究所创新专项(批准号:Q-ZY-7;Q-ZY-4)资助的课题~~
考虑了势垒层、缓冲层体陷阱及表面电荷的浓度变化对电流坍塌和膝点电压的影响,发现表面电荷和势垒层体陷阱浓度的变化对沟道电子的浓度影响较小,表面电荷浓度变化下的膝点电压的偏移和坍塌强度的大小与势垒层势阱能量的变化有着主要的...
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 电流坍塌 膝点电压 陷阱俘获 
激光束诱导电流法提取HgCdTe光伏探测器的电子扩散长度被引量：3
《物理学报》2009年第11期7884-7890,共7页殷菲 胡伟达 全知觉 张波 胡晓宁 李志锋 陈效双 陆卫 
国家自然科学基金(批准号:10734090;10725418);上海-应用材料研究与发展基金(批准号:08520740600);航空科学基金(批准号:20080190001)资助的课题~~
由于得到HgCdTe扩散长度Lp的标准测试结构会损伤p-n结单元,实验中广泛采用激光束诱导电流(LBIC)提取的等效扩散长度L来代替Lp.本文通过二维数值模拟,分析了等效扩散长度L和扩散长度Lp的关系.二者的比例关系为L/Lp=1.1,该基本关系不受器...
关键词：碲镉汞 激光束诱导电流 扩散长度 
吸收层特性和异质结界面电荷对12.5μm长波HgCdTe光伏探测器响应率的影响研究被引量：3
《物理学报》2009年第11期7891-7896,共6页胡伟达 殷菲 叶振华 全知觉 胡晓宁 李志锋 陈效双 陆卫 
国家自然科学基金(批准号:60576068;60706012;10734090;10747162);上海-应用材料研究与发展基金(批准号:08520740600);航空科学基金(批准号:20080190001)资助的课题~~
研究了12.5μm长波HgCdTe探测器的吸收层厚度和异质结界面电荷对器件光响应率的影响.分析了吸收层厚度与吸收长度、扩散长度之间的联系,获得了设计最佳吸收层厚度的经验公式.研究结果显示入射光波长超过截止波长时,响应率随吸收层厚度...
关键词：长波HgCdTe器件 光伏型红外探测器 光响应率 少子寿命 
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