国家教育部博士点基金(20110185120005)

作品数：1被引量：1H指数：1
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A novel superjunction MOSFET with improved ruggedness under unclamped inductive switching被引量：1
《Chinese Physics B》2012年第4期612-618,共7页任敏 李泽宏 邓光敏 张灵霞 张蒙 刘小龙 谢加雄 张波 
supported by the National Key Scientific and Technological Project (Grant No. 2011ZX02503-005);the Fundamental Research Funds for the Central Universities, China (Grant No. ZYGX2010J038);the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China (Grant No. 20110185120005)
The ruggedness of a superjunction metal-oxide semiconductor field-effect transistor （MOSFET） under unclamped inductive switching conditions is improved by optimizing the avalanche current path. Inserting a P-island ...
关键词：avalanche current path unclamped inductive switching SUPERJUNCTION MOSFET 
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