浙江省自然科学基金(Y405051)

作品数：3被引量：14H指数：2
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相关主题：立方氮化硼薄膜掺杂质谱等离子体电子显微镜更多>>
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立方氮化硼薄膜的最新研究进展被引量：9
《物理学报》2009年第2期1364-1370,共7页杨杭生 聂安民 张健英 
国家自然科学基金(批准号:50772096);浙江省自然科学基金(批准号:Y405051);浙江省教育厅(批准号:20061365);教育部留学回国人员科研启动经费(批准号:[2007]24号)资助的课题~~
立方氮化硼(cBN)作为一种在自然界中并不存在的人造材料具有优异的理化特性.在超硬刀具、高温电子器件和光学保护膜等领域有着广泛的应用前景,已经成为材料科学的研究热点之一.但是气相生长高质量cBN薄膜仍然还有许多难点需要攻克.在综...
关键词：立方氮化硼薄膜 压缩应力 异质外延 掺杂 
立方氮化硼薄膜生长过程中的界面控制被引量：4
《物理学报》2007年第9期5400-5407,共8页杨杭生 谢英俊 
浙江省自然科学基金(批准号:Y405051);浙江省教育厅(批准号:20061365)资助的课题.~~
在立方氮化硼薄膜气相生长过程中生成的无定形初期层和乱层结构氮化硼中间层,一直是阻碍立方氮化硼薄膜外延生长的主要原因.系统地分析了硅衬底预处理对立方氮化硼薄膜中无定形初期层成分的影响,发现在等离子体化学气相生长法制备薄膜时...
关键词：立方氮化硼薄膜 等离子体化学气相生长 界面 电子显微镜 
等离子体增强化学气相沉积法制备立方氮化硼薄膜过程中的表面生长机理被引量：4
《物理学报》2006年第8期4238-4246,共9页杨杭生 
浙江省自然科学基金(批准号:Y405051)资助的课题.~~
利用感应耦合等离子体增强化学气相沉积法以Ar,He,N2和B2H6为反应气体制备了高纯立方氮化硼薄膜.用四极质谱仪对等离子体状况进行了系统的分析,发现B2H6完全被电离而N2只是部分被电离.H2和过量的N2在等离子体中生成大量中性的H原子和活...
关键词：立方氮化硼薄膜 等离子体 质谱 
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