中国航空科学基金(20122469)

作品数：3被引量：1H指数：1
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相关期刊：《东南大学学报（自然科学版）》《航空兵器》《电子学报》更多>>
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相关领域：电子电信更多>>
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不同栅压应力下1.8V pMOS热载流子退化机理研究被引量：1
《电子学报》2016年第2期348-352,共5页刘斯扬 于朝辉 张春伟 孙伟锋 苏巍 张爱军 刘玉伟 吴世利 何骁伟 
航空科学基金(No.20122469);东南大学无锡分校科研引导资金
本文详细研究了不同栅压应力下1.8V p MOS器件的热载流子退化机理.研究结果表明,随着栅压应力增加,电子注入机制逐渐转化为空穴注入机制,使得p MOS漏极饱和电流(Idsat)、漏极线性电流(Idlin)及阈值电压(Vth)等性能参数退化量逐渐增加,但...
关键词：热载流子 不同栅压应力 正反向退化 
基于红外焦平面读出电路应用的多层stack电容设计及SPICE模型研究
《航空兵器》2014年第4期49-53,共5页叶伟 戴佼容 刘斯扬 孙伟锋 
航空科学基金(20122469);江苏省自然科学基金(BK2012559);东南大学研究生科研基金资助项目(YBJJ1311);东南大学无锡分校科研引导资金项目
基于0.5μm CMOS工艺设计并制备了一种应用于红外焦平面读出电路的多层堆叠(stack)电容结构,测试结果表明,相比单一形式电容,stack电容的单位面积值增大两倍以上,因而能够有效地提升红外焦平面读出电路的电荷存储能力。此外,本文还为设...
关键词：红外焦平面读出电路 stack电容 SPICE模型 BSIM3 V3模型 边缘效应 
功率VDMOS器件的新型SPICE模型
《东南大学学报（自然科学版）》2013年第3期478-482,共5页朱荣霞 黄栋 马德军 王锦春 孙伟锋 张春伟 
航空科学基金资助项目(20122469);新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-10-0331);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012559)
为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体...
关键词：VDMOS SPICE模型 内部节点 准饱和效应 
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