国家重点基础研究发展计划(G200036502)

作品数：2被引量：3H指数：1
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非对称栅压在负栅极-源漏极交叠结构超薄沟道双栅器件中的应用
《清华大学学报（自然科学版）》2007年第4期584-587,共4页邵雪 余志平 
国家"九七三"基础研究基金项目(G200036502)
为了研究纳米尺度器件中量子力学效应对传输特性及动态特性的影响,在器件模拟软件TAURUS中实现了量子修正的漂移扩散模型(QDD),并对具有负栅极-源漏极交叠结构的超薄沟道双栅器件进行了数值模拟。结果显示:非对称栅压的控制方法使得器...
关键词：双栅器件 超薄沟道 量子漂移扩散模型 栅极-源漏极交叠 
一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1191-1196,共6页邵雪 余志平 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G200036502)~~
提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型.采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流,同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布,最终实现与三维泊松方程的自恰求解.模拟结果显...
关键词：非平衡态 准三维 FET模型 FinFET 格林函数方法 量子力学模型 态密度分布 薛定谔方程 亚阈值特性 弹道输运 纳米器件 三维结构 开关特性 纳米尺度 模拟结果 泊松方程 载流子 横截面 量子线 求解 
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