国家自然科学基金(50772096)

作品数:3被引量:12H指数:2
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立方氮化硼薄膜中的氧杂质被引量:4
《无机材料学报》2010年第7期748-752,共5页杨杭生 邱发敏 聂安民 
国家自然科学基金(50772096)
采用等离子体增强化学气相生长技术制备立方氮化硼薄膜,系统研究了背底真空度和生长过程中氧气的存在对立方氮化硼薄膜中氧杂质含量的影响.发现把背底真空度提高至1×10-5Pa仍然不能有效消除立方氮化硼薄膜中的氧杂质.随着立方氮化硼薄...
关键词:立方氮化硼薄膜 等离子体增强化学气相生长 红外光谱 氧杂质 
Influence of oxygen on the growth of cubic boron nitride thin films by plasma-enhanced chemical vapour deposition
《Chinese Physics B》2010年第1期451-455,共5页杨杭生 聂安民 邱发敏 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 50772096);the Educational Department of Zhejiang Province, China (Grant No. 20061365)
Cubic boron nitride thin films were deposited on silicon substrates by low-pressure inductively coupled plasmaenhanced chemical vapour deposition. It was found that the introduction of 02 into the deposition system su...
关键词:cubic boron nitride films infrared spectroscopy plasma-enhanced chemical vapour deposition 
立方氮化硼薄膜的最新研究进展被引量:9
《物理学报》2009年第2期1364-1370,共7页杨杭生 聂安民 张健英 
国家自然科学基金(批准号:50772096);浙江省自然科学基金(批准号:Y405051);浙江省教育厅(批准号:20061365);教育部留学回国人员科研启动经费(批准号:[2007]24号)资助的课题~~
立方氮化硼(cBN)作为一种在自然界中并不存在的人造材料具有优异的理化特性.在超硬刀具、高温电子器件和光学保护膜等领域有着广泛的应用前景,已经成为材料科学的研究热点之一.但是气相生长高质量cBN薄膜仍然还有许多难点需要攻克.在综...
关键词:立方氮化硼薄膜 压缩应力 异质外延 掺杂 
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