国家自然科学基金(10564003)

作品数：8被引量：14H指数：3
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相关期刊：《发光学报》《物理学报》《Journal of Semiconductors》《内蒙古大学学报（自然科学版）》更多>>
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压力下GaN/Ga_(1-x)Al_xN量子点中杂质态的界面效应被引量：3
《发光学报》2009年第4期529-534,共6页张敏 闫祖威 
国家自然科学基金(10564003);教育部科学技术研究重点项目(208025);内蒙古师范大学科研基金(QN06050)资助项目
考虑界面处导带弯曲,流体静压力以及有效质量随量子点位置的依赖性,采用变分法以及简化相干势近似,研究了无限高势垒GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中杂质态的界面效应,计算了杂质态结合能随量子点尺寸、电子面密度以及压力的变化关系。结果表...
关键词：量子点 结合能 电子面密度 压力 
纤锌矿氮化物半导体椭球形量子点杂质态被引量：3
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2009年第2期162-166,共5页石磊 闫祖威 
国家自然科学基金资助项目(10564003);教育部科学技术研究重点项目资助(208025)
考虑纤锌矿结构氮化物半导体材料的单轴异性后,在有效质量近似下,利用变分法研究了无限高势垒近似下GaN,AlN和InN椭球形量子点中的杂质态,导出了杂质态结合能随量子点半径和椭球率变化的关系.数值计算结果发现,杂质态结合能随着量子点...
关键词：杂质态 结合能 单轴异性 
外磁场下电子-声子相互作用对球形量子点杂质态的影响
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2008年第4期394-400,共7页王利福 闫祖威 
国家自然科学基金资助项目(批准号:10564003);教育部科学技术研究重点项目(批准号:208025)
在有效质量近似下,采用变分法研究了外磁场下球形量子点中的施主杂质基态结合能随量子点半径和磁感应强度的变化关系.考虑电子与体纵光学声子和表面光学声子相互作用,计算了施主杂质态结合能随杂质位置和量子点半径的变化.数值结果表明...
关键词：量子点 电子-声子相互作用 结合能 
纤锌矿氮化物半导体束缚极化子及压力效应被引量：4
《Journal of Semiconductors》2008年第8期1535-1539,共5页薛亚光 闫祖威 皇甫艳芳 
国家自然科学基金(批准号:10564003);教育部科学技术研究重点(批准号:208025)资助项目~~
考虑到纤锌矿结构的氮化物半导体材料的单轴异性,采用变分法研究了两支异常光学声子LO-like和TO-like对杂质态结合能的影响,即极化子效应.计及电子有效质量,材料介电常数及晶格振动频率随流体静压力的变化,讨论了束缚极化子结合能的压...
关键词：结合能 极化子 氮化物半导体 
压力下应变异质结中施主杂质态的Stark效应被引量：4
《物理学报》2008年第7期4459-4465,共7页张敏 班士良 
国家自然科学基金(批准号:60566002,10564003)资助的课题~~
对应变GaN/AlxGa1-xN异质结系统,考虑理想界面突变势垒,引入简化相干势近似,采用变分法讨论了流体静压力下外界电场对束缚于界面附近的浅杂质态结合能的影响.对GaN为衬底的闪锌矿应变异质结,分别计算了(001)和(111)取向时杂质态的结合...
关键词：GaN/AlxGa1-xN异质结 杂质态 压力 STARK效应 
GaN球形量子点中类氢杂质态的二次斯塔克效应被引量：1
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2008年第1期18-23,共6页皇甫艳芳 闫祖威 
国家自然科学基金资助项目(批准号:10564003)
在有效质量近似下,利用微扰—变分法研究了GaN球形量子点中类氢杂质态的二次斯塔克效应.计算了杂质态结合能随量子点半径和外加电场强度的变化关系.数值结果表明,随量子点尺寸和外加电场强度的增加,基态能和结合能均单调降低.此外,随着...
关键词：杂质态 电场强度 量子点尺寸 结合能 斯塔克效应 
界面效应对GaN/Ga_(1-x)Al_xN量子点中杂质态的影响
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2007年第6期635-640,共6页张敏 闫祖威 
国家自然科学基金资助项目(批准号:10564003)
在有效质量近似下采用变分法以及界面处导带弯曲用三角势近似,研究了氮化物半导体GaN/Ga1-xAlxN材料中杂质态的结合能随量子点尺寸及电子面密度的变化关系.结果表明,导带弯曲对结合能的影响不容忽视.当电子面密度较大时候,随着量子点尺...
关键词：量子点 结合能 电子面密度 
纤锌矿结构的GaAlN/GaN量子阱中电子激发态极化的压力效应(英文)
《内蒙古师范大学学报（自然科学汉文版）》2007年第5期599-604,609,共7页吴晓薇 杨瑞芳 郭子政 阎祖威 
Supported by the National Natural Science Foundation of China(10564003)
研究了GaN/GaAl N量子阱内电子的激发态极化(EESP)的压力效应,计算中考虑了纤锌矿结构材料的晶格常数、形变势的各向异性,以及内建电场(IEF)的作用.结果表明:电子势垒高度随压力下降;电子基态有效质量随压力下降而电子的第一激发态有效...
关键词：半导体 量子阱 内建电场 激发态极化 静压 
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