陕西省教育厅科研计划项目(05JK268)

作品数:5被引量:9H指数:1
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半超结SiGe高压快速软恢复开关二极管被引量:7
《物理学报》2009年第1期529-535,共7页马丽 高勇 
国家自然科学基金(批准号:50477012);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050700006);陕西省教育厅专项科研计划(批准号:05JK268)资助的课题~~
将SiGe材料的优异性能与半超结结构的优势相结合,提出了一种半超结SiGe功率二极管,可适应高频化电力电子电路对功率二极管低通态压降、高击穿电压、较小的反向漏电流以及快而软的反向恢复特性的要求,显著提高器件的各种特性.
关键词:半超结 硅锗二极管 高压 快速软恢复 
SiGeC异质结功率二极管通态特性研究
《固体电子学研究与进展》2008年第3期455-459,共5页马丽 高勇 刘静 王彩琳 
国家自然科学基金(50477012);高等学校博士学科点专项科研基金(20050700006);陕西省教育厅专项科研计划资助(05JK268)
研究了一种大功率低功耗p+(SiGeC)-n--n+异质结二极管结构,分析了Ge、C含量对器件正向通态特性的影响。结果表明:与常规的Si p-i-n二极管相比,在正向电流密度不超过1000 A/cm2情况下,p+(SiGeC)-n--n+二极管的正向压降有明显的降低。当...
关键词:硅锗碳/硅异质结功率二极管 正向通态特性 大功率 低功耗 
快速软恢复SiGe功率开关二极管的结构设计与特性分析
《电子器件》2007年第4期1255-1257,1265,共4页马丽 高勇 刘静 余明斌 
国家自然科学基金资助(50477012);陕西省教育厅专项科研项目资助(05JK268);高等学校博士学科点专项科研基金资助(20050700006)
为了进一步提高SiGe/Si异质结功率开关二极管的性能,提出了一种SiGe功率开关二极管的新结构,用交替的p+、n+区形成的mosaic结构来代替原常规的n+区,关断时可同时为电子和空穴的抽取提供通道使阴极具有理想欧姆接触.该结构可大大提高开...
关键词:SIGE/SI异质结 功率二极管 快速软恢复 低漏电流 
大功率低功耗快速软恢复SiGeC功率开关二极管被引量:1
《物理学报》2007年第12期7236-7241,共6页马丽 高勇 刘静 王彩琳 
国家自然科学基金(批准号:50477012);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050700006);陕西省教育厅专项科研计划(批准号:05JK268)资助的课题.~~
为满足电力电子电路对功率开关二极管高频化的发展要求,提出了一种大功率低功耗快速软恢复p+(SiGeC)-n--n+异质结二极管.与常规的Sip-i-n二极管相比,在正向电流密度不超过1000A/cm2情况下,p+(SiGeC)-n--n+二极管的正向压降减少了约1/5,...
关键词:快速软恢复 大功率低功耗 SiGeC/Si异质结功率二极管 
SiGeC/Si功率二极管的数值模拟与分析被引量:1
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1068-1072,共5页高勇 刘静 马丽 余明斌 
国家自然科学基金(批准号:50477012);陕西省教育厅专项科研计划(批准号:05JK268)资助项目~~
将SiGeC技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了一种新型p+(SiGeC)n-n+异质结功率二极管结构.在分析SiGeC合金材料物理特性的基础上,给出了该结构的关键物理参数模型,并在此基础上利用MEDICI模拟,对比分析了C的引入对器件各种电特...
关键词:SiGeC/Si异质结 功率二极管 反向恢复 漏电流 
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