国家自然科学基金(60971058)

作品数：3被引量：1H指数：1
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A low power 2.5-5 GHz low-noise amplifier using 0.5-μm GaAs pHEMT technology
《Journal of Semiconductors》2012年第10期62-65,共4页彭洋洋 陆科杰 隋文泉 
supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60971058);the Natural Science Foundation of Zhejiang Province,China(No.R107481)
A two-stage 2.5-5 GHz monolithic low-noise amplifier（LNA） has been fabricated using 0.5-μm enhanced mode AlGaAs/GaAs pHEMT technology.To achieve wide operation bandwidth and low noise figure,the proposed LNA uses a...
关键词：LNA GaAs pHEMT MMIC MICROWAVE 
3～20GHz宽带行波低噪声放大器的设计
《固体电子学研究与进展》2012年第4期361-364,共4页马方玥 彭洋洋 隋文泉 
国家自然基金资助项目(60971058)
介绍了基于0.15μm GaAs pHEMT工艺设计的3～20GHz MMIC宽带行波低噪声放大器。在整个宽频带范围内实现了大于11.5dB的功率增益,增益平坦度1.5dB,小于4.2dB的噪声系数,以及良好的输入输出回波损耗。最大饱和输出功率达到21dBm。该4级级...
关键词：行波放大器 砷化镓工艺 宽带放大器 
GaAs pHEMT multi-band/multi-mode SP9T switch for quad-band GSM and UMTS handsets applications被引量：1
《Journal of Zhejiang University-Science C(Computers and Electronics)》2011年第4期317-322,共6页Xiao-ying WANG Wen-ting GUO Yang-yang PENG Wen-quan SUI 
supported by the National Natural Science Foundation of China (No.60971058);the Natural Science Foundation of Zhe-jiang Province,China (No.R107481)
A multi-band/multi-mode single-pole nine-throw (SP9T) switch for GSM/UMTS (global system for mobile communications/universal mobile telecommunication system) systems is demonstrated.The switch consists of a GaAs 0.5μ...
关键词：GSM UMTS Single-pole nine-throw (SP9T) PHEMT Encoder DC boost 
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