青年科技基金(jx0838)

作品数：3被引量：18H指数：3
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流量及温度对低频PECVD氮化硅薄膜性能的影响被引量：3
《压电与声光》2010年第4期634-637,641,共5页黎威志 陶毅 亢喆 许华胜 余欢 
电子科技大学青年科技基金资助项目(jx0838)
研究了低频等离子增强化学气相沉积(LF-PECVD)工艺中气体流量比和衬底温度对氮化硅薄膜折射率、密度及应力的影响规律,同时测试了薄膜的红外光谱以分析不同条件对薄膜成分的影响。结果表明,低频氮化硅薄膜折射率主要受薄膜内硅氮元素比...
关键词：氮化硅 低频等离子增强化学气相沉积(LF-PECVD) 密度 应力 红外光谱 
PECVD淀积SiO_2薄膜工艺研究被引量：11
《微处理机》2010年第1期23-26,共4页亢喆 黎威志 袁凯 蒋亚东 
电子科技大学青年科技基金(No.jx0838)
研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备非晶SiO2薄膜的工艺。系统地研究了反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压强、淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜质量的影响,采用椭偏仪测量了不同工艺条件下淀积的SiO2薄膜的厚度和折射率。根据以...
关键词：等离子增强化学气相淀积 氧化硅 淀积速率 折射率 
低应力PECVD氮化硅薄膜的制备被引量：4
《电子器件》2009年第3期522-525,共4页亢喆 黎威志 袁凯 蒋亚东 
电子科技大学青年科技基金资助(jx0838)
研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)工艺中射频条件(功率和频率)对氮化硅薄膜应力的影响。对于不同射频条件下薄膜的测试结果表明:低频(LF)时氮化硅薄膜处于压应力,高频(HF)时处于张应力,且相同功率时低频的沉积速率和应力分别为高频...
关键词：PECVD 射频 混频 氮化硅 应力 
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