电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金(51433030203JW091)

作品数：2被引量：2H指数：1
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薄栅氧化层斜坡电压TDDB击穿参数的研究
《电子器件》2006年第3期624-626,634,共4页王茂菊 李斌 章晓文 陈平 韩静 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金资助(51433030203JW091)
随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路的可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。本次实验主要是通过斜坡电压实验来研究薄栅氧化层的TDDB,测出斜坡电压时氧化层的击穿电...
关键词：薄栅氧化物 TDDB 斜坡电压法 击穿参数 
薄栅氧化层斜坡电压TDDB寿命评价被引量：2
《微电子学》2005年第4期336-339,共4页王茂菊 李斌 章晓文 陈平 韩静 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室基金资助项目(51433030203JW091)
随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。文章着重于薄栅氧化层TDDB可靠性评价的斜坡电压试验方法的研究,基于斜坡电压实验,提取模...
关键词：薄栅氧化物 经时绝缘击穿 斜坡电压法 可靠性 寿命 
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