国家自然科学基金(61176124)

作品数：3被引量：3H指数：1
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多层HfO_2/Al_2O_3薄膜基电荷陷阱存储器件的存储特性研究被引量：2
《真空科学与技术学报》2014年第12期1347-1351,共5页汤振杰 殷江 朱信华 
国家自然科学基金(61176124);河南省教育厅科学技术研究重点项目(13A140021;14A140008)
借助脉冲激光沉积和原子层沉积系统,采用SiO2作为隧穿氧化物,Al2O3作为阻挡氧化物,制备了多层HfO2/Al2O3薄膜基电荷陷阱存储器件。实验发现,当电极偏压为±12 V时,存储窗口达到7.1 V,电荷存储密度约为2.5×1013cm-2。HfO2/Al2O3之间的...
关键词：电荷陷阱存储器 多层薄膜 脉冲激光沉积 原子层沉积 能带排列 
Performance improvement of charge trap flash memory by using a composition-modulated high-k trapping layer
《Chinese Physics B》2013年第9期591-594,共4页汤振杰 李荣 殷江 
supported by the Science and Technology Research Key Project of Education Department of Henan, China (Grant No. 13A140021);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 50972054 and 61176124);the National Basic Research Program of China (Grant No. 2010CB934201);the State Key Program for Science and Technology of China (Grant No. 2009ZX02039-004)
A composition-modulated （HfO2）x（Al2O3）1-x charge trapping layer is proposed for charge trap flash memory by controlling the A1 atom content to form a peak and valley shaped band gap. It is found that the memory de...
关键词：composition modulated films memory device charge trap atomic layer deposition 
The charge storage characteristics of ZrO_2 nanocrystallite-based charge trap nonvolatile memory被引量：1
《Chinese Physics B》2013年第6期565-569,共5页汤振杰 李荣 殷江 
supported by the Science Fund of Educational Department of Henan Province of China (Grant No. 13A140021);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 50972054 and 61176124);the State Key Program for Basic Research of China (Grant No. 2010CB934201);the State Key Program for Science and Technology of China (Grant No. 2009ZX02039-004)
ZrO2 nanocrystallite-based charge trap flash memory capacitors incorporating a （ZrO2）0.6（SiO2）0.4 pseudobinary high-k oxide film as the charge trapping layer were prepared and investigated. The precipitation react...
关键词：charge storage ZrO2 nanocrystallites atomic layer deposition pulse laser deposition 
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