国家高技术研究发展计划(2007AA05Z461)

作品数：4被引量：8H指数：2
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两步法制备的CuInGaSe_2薄膜中Ga的富集现象
《真空科学与技术学报》2011年第5期641-645,共5页李春雷 庄大明 张弓 刘江 宋军 
国家863项目(2007AA05Z461)
采用预制膜硒化两步法制备CIGSe薄膜,采用X射线衍射方法分析薄膜的结构,采用荧光光谱分析和俄歇电子能谱分析方法检测分析薄膜的成分。研究结果表明CIGSe薄膜中Ga元素以置换原子的形式存在于CuInSe2相中,并且Ga具有背电极富集现象。富...
关键词：太阳能电池 铜铟镓硒 两步法 预制膜硒化 背电极富集 
溅射参数对CuInGa预制膜成分和结构的影响
《中国表面工程》2010年第3期25-28,共4页李春雷 庄大明 张弓 宋军 
国家863项目资助(2007AA05Z461)
作为CIGSe太阳能电池重要组成部分的CIGSe吸收层可以采用预制膜+硒化两步法制备。文中采用磁控溅射方法制备了成分均匀、具有一定成分比例的CuIn、CuGa、CuInGa预制膜。X射线荧光分析(XRF)结果显示随着溅射电流的增加,CuIn预制膜的Cu/I...
关键词：太阳能电池 CIGSE 磁控溅射 预制膜 CuInGa 
中频交流磁控溅射制备氧化锌铝(ZAO)薄膜的研究被引量：4
《中国表面工程》2010年第1期15-18,23,共5页刘江 庄大明 张弓 李春雷 段宇波 
国家863项目资助(2007AA05Z461)
利用两种中频交流磁控溅射电源,溅射Al2O3含量为2%的两块氧化锌铝陶瓷靶材,在不同衬底温度的条件下制备得到了ZAO薄膜。研究了不同衬底温度条件下不同靶材和溅射电源对ZAO薄膜结构、电学和光学性能的影响。结果表明,制备得到的ZAO薄膜...
关键词：ZAO薄膜 磁控溅射 电阻率 透过率 
Cu/In原子比及硫化温度对于CuInS_2薄膜性能影响被引量：4
《真空》2009年第5期10-13,共4页杨宇 张弓 庄大明 
863计划先进能源技术领域(No.2007AA05Z461)
采用中频交流磁控溅射方法,在玻璃基底上沉积Cu-In预制膜,采用固态硫化法制备获得了CuInS2(CIS)吸收层薄膜。考察了预制膜Cu/In原子比及硫化温度对于CIS薄膜结构及禁带宽度影响。通过XRD及Raman光谱分析了薄膜结构,通过近红外透过曲线...
关键词：太阳能电池 CIS薄膜 硫化温度 Cu/In原子比 
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