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具有ITO/Ti3O5薄膜结构的高亮度AlGaInP LED
《固体电子学研究与进展》2019年第3期199-202,共4页孙学智 白继锋 
吉林省教育科学“十三五”规划2018年度课题(GH180885)
采用ITO/Ti3O5薄膜结构作为高亮度AlGaInP LED的电流扩展层、窗口层、电流阻挡层和增透膜层。通过在电极下形成肖特基结,避免电极下方无效电流注入,提高局域电流密度。通过ITO/Ti3O5增透膜设计提升LED的光提取效率。具有该ITO/Ti3O5薄...
关键词：ALGAINP ITO 电流扩展 肖特基结 
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