南京大学电子科学与工程学院南京微结构国家实验室

作品数：6被引量：21H指数：2
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发文作者：廖远宝刘东刘妮更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
发文主题：荷电状态均衡管理热管理电动汽车电池管理系统更多>>
发文期刊：《材料导报》《固体电子学研究与进展》《中国学术期刊文摘》《电源技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
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仿生触觉传感器研究进展
《中国学术期刊文摘》2021年第5期11-17,共7页张景 马仲 李晟 潘力佳 施毅 
1引言皮肤是人体最大的器官,是人体与外界交互作用的界面,可将压力、温度、纹理等物理信号转换为电学信号,实现触觉、体感等功能,具有柔性、创伤自愈合、多模传感、高密度集成、综合信息处理等特点,有待传感器领域进一步开展仿生研究。
关键词：触觉传感器 传感器领域 综合信息处理 信号转换 电学信号 自愈合 仿生研究 纹理 
电动汽车电池管理系统研究进展被引量：19
《电源技术》2018年第2期308-311,共4页唐溪浩 马骁 邱旦峰 施毅 郑有炓 
国家自然科学基金(61471195);中央高校基本科研业务费专项资金资助(NJ20150017,NS2014040);国家重点基础研究发展计划(“973”计划)(2013CB932900)
电池动力汽车作为新型环保型汽车受到了广泛关注。电池管理系统作为电动汽车稳定高效运行的保障,对电动汽车的发展起着关键作用。简单介绍了电动汽车发展研究成果,基于现阶段电池管理系统的发展成果,给出了一种电池管理系统的典型结构,...
关键词：电池管理系统 荷电状态 热管理 均衡管理 
基于ZnTe_(1-x)Y_x(Y=O,S,Se)中间带光伏材料光电性能的第一性原理研究
《材料导报》2014年第24期129-135,共7页吴孔平 鲁开林 蒋建彗 顾书林 叶建东 汤琨 朱顺明 
安徽省自然科学基金(1208085QF116);国家自然科学基金(2011CB302003;61274058;61025020)
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理方法计算了高失配三元合金ZnTe1-xYx(Y=O,S,Se)的能带结构、电子特性与光学性能。通过对半导体态密度的计算证实了在闪锌矿结构的ZnTe中掺杂O、S或Se原子可能得到独立的中间带结构,该结构可提高...
关键词：中间带(IB) 电负性差 电子能带结构 光学性质 
MOCVD法生长ZnO薄膜时氧源t-BuOH和H2O的比较研究
《发光学报》2012年第6期665-668,共4页朱顺明 黄时敏 顾书林 朱振邦 顾然 郑有炓 
国家自然科学基金(61025020,60990312);国家“973”计划(2011CB302003);江苏省自然科学基金(SBK201121728)资助项目
以活性较低的叔丁醇(t-BuOH)和水(H2O)作为氧源,采用MOCVD技术生长了ZnO薄膜。研究发现,t-BuOH作为氧源可以有效地抑制其与锌源之间的气相预反应,比H2O作为氧源进行ZnO薄膜的外延生长具有更高的生长速率,得到的ZnO薄膜晶体质量更优,同...
关键词：ZnO MOCVD 氧源 t-BuOH 
AlGaN/GaN量子阱中子带的Rashba自旋劈裂和子带间自旋轨道耦合作用研究被引量：2
《物理学报》2012年第2期393-399,共7页李明 张荣 刘斌 傅德颐 赵传阵 谢自力 修向前 郑有炓 
国家自然科学基金(批准号:60990311,60721063,60906025,60936004);国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB301900);国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA03A198);江苏省自然科学基金(批准号:BK2008019,BK2009255,BK2010178);南京大学扬州光电研究院研发基金资助的课题~~
首先把本征值方程投影到导带的子空间中,进而得到AlGaN/GaN量子阱中第一、二子带的Rashba自旋劈裂系数(α_1,α_2)和子带自自旋-轨道耦合系数η_(12).然后自恰求解薛定谔方程和泊松方程计算了不同栅压的量子阱中的α_1,α_2和η_(12),...
关键词：Rashba自旋劈裂 子带间自旋轨道耦合 自恰计算 二维电子气 
硫系相变材料Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变速度及电学输运性质研究
《固体电子学研究与进展》2011年第3期310-314,共5页刘文强 仝亮 徐岭 刘妮 杨菲 廖远宝 刘东 徐骏 马忠元 陈坤基 
国家自然科学基金资助项目(60976001和50872051);国家自然科学基金重点资助项目(61036001);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20090091110010);江苏省国际科技合作计划资助项目(BZ2010068);国家重点基础研究发展规划资助项目(2007CB935401和2007CB613401)
利用磁控溅射方法制备了Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5两种相变存贮材料的薄膜。原位X射线衍射(XRD)的结果表明,随着退火温度的升高,Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5薄膜都逐步晶化,材料结构发生了从非晶态到面心立方结构、再到六角密堆结构...
关键词：相变存贮材料 Ge_1Sb_2Te_4 Ge_2Sb_2Te_5 
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