METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR

作品数：60被引量：53H指数：3
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相关领域：电子电信更多>>
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A review of rare-earth oxide films as high k dielectrics in MOS devices——Commemorating the 100th anniversary of the birth of Academician Guangxian Xu被引量：2
《Journal of Rare Earths》2021年第2期121-128,共8页Shuan Li Youyu Lin Siyao Tang Lili Feng Xingguo Li 
MOST of China(2017YFB0405902,2018YFB1502102);China Postdoctoral Science Foundation(BX20200004)。
Recently,rare-earth oxide films have attracted more and more attention as gate dielectrics in metaloxide-semiconductor(MOS)devices,showing the advantages of high dielectric constant(k value),large band gap(Eg)and outs...
关键词：Rare earth Thin film OXIDES High k dielectric METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR 
Electrical characteristics of MOS capacitor using amorphous Gd_2O_3-doped HfO_2 insulator被引量：1
《Journal of Rare Earths》2010年第3期396-398,共3页季梅 王磊 熊玉华 杜军 
supported by the National Key Scientific Research Projects (50932001)
This work described the electrical characteristics of a kind of amorphous Gd2O3-doped HfO2 insulator for high-k metal-oxide-semiconductor(MOS) capacitors.Compared with pure HfO2,the doped HfO2 with an optimum concentr...
关键词：GD2O3 HIGH-K metal-oxide-semiconductor（MOS） rare earths 
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