PMOSFET

作品数：101被引量：107H指数：4
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Recovery of PMOSFET NBTI under different conditions被引量：1
《Chinese Physics B》2015年第9期484-488,共5页曹艳荣 杨毅 曹成 何文龙 郑雪峰 马晓华 郝跃 
Project supported by the National Basic Research Program of China(Grant No.2011CBA00606);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61404097,61334002,61106106,and 61176130);the Fundamental Research Funds for the Central Universities,China(Grant No.JB140415)
Negative bias temperature instability（NBTI） has become a serious reliability issue, and the interface traps and oxide charges play an important role in the degradation process. In this paper, we study the recovery o...
关键词：negative bias temperature instability（NBTI） P-type metal–oxide–semiconductor field effect transistor RECOVERY 
Effect of gate length on the parameter degradation relations of PMOSFET under NBTI stress
《Chinese Physics B》2014年第11期496-501,共6页曹艳荣 何文龙 曹成 杨毅 郑雪峰 马晓华 郝跃 
supported by the National Basic Research Program of China(Grant No.2011CBA00606);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61334002,61106106,and 61176130);the Fundamental Research Fund for the Central Universities of China(Grant No.JB140415)
The influence of PMOSFET gate length on the parameter degradation relations under negative bias temperature insta- bility （NBTI） stress is studied. The threshold voltage degradation increases with reducing the gate ...
关键词：negative bias temperature instability （NBTI） gate length DEGRADATION 
Hot carrier degradation and a new lifetime prediction model in ultra-deep sub-micron pMOSFET
《Chinese Physics B》2013年第4期434-437,共4页雷晓艺 刘红侠 张凯 张月 郑雪峰 马晓华 郝跃 
Project supported by the National Basic Research Program of China (Grant No. 2011CBA00606);the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 61106106);the Fundamental Research Funds for the Central Universities, China (Grant No. K50510250006)
The hot carrier effect （HCE） of an ultra-deep sub-micron p-channel metal–oxide semiconductor field-effect transistor （pMOSFET） is investigated in this paper. Experiments indicate that the generation of positively...
关键词：PMOSFETS hot carrier effect （HCE） DEGRADATION lifetime modeling 
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