RUGGEDNESS

作品数：6被引量：7H指数：2
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Design of high reliability RF-LDMOS by suppressing the parasitic bipolar effect using enhanced p-well and double epitaxy被引量：2
《Journal of Semiconductors》2015年第6期93-98,共6页徐向明 黄景丰 遇寒 钱文生 周正良 韩波 王勇 王鹏飞 张卫 
Project supported by the Chinese National Key Project(No.2012ZX02502)
A laterally diffused metal-oxide-semiconductor （LDMOS） device design with an enhanced p-well and double p-epitaxial structure is investigated for device ruggedness improvement while keeping its high device per- form...
关键词：RF power LDMOS semiconductor device RUGGEDNESS reliability 
An RF LDMOS with excellent efficiency and ruggedness based on a modified CMOS process被引量：2
《Journal of Semiconductors》2013年第9期63-66,共4页余庭 罗玲 
Two types of RF LDMOS devices, specified for application in the driver stage and output stage of a power amplifier, are designed based on a modified CMOS process. By optimizing the layout and process, the output capac...
关键词：PAE RUGGEDNESS RF LDMOS CMOS output power 
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