云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- DEPLETION-MODE

DEPLETION-MODE: 作品数：7被引量：3H指数：1; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：李海鸥尹军舰张海英叶甜春更多>>; 相关机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 相关期刊：《Chinese Physics B》《Chinese Physics Letters》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>

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Monolithic Integration of InGaP/AlGaAs/InGaAs Enhancement/Depletion-Mode PHEMTs被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2005年第12期2281-2285,共5页李海鸥张海英尹军舰叶甜春; 国家自然科学基金(批准号:60276021);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901)资助项目~~; The monolithic integration of enhancement- and depletion-mode （E/D-mode） InGaP/AIGaAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistors （PHEMTs） with a 1.0μm gate length is presented. Epilayers are grown on...; 关键词：pseudomorphic high electron mobility transistors ENHANCEMENT-MODE DEPLETION-MODE threshold voltage GAAS