SUPERJUNCTION

作品数：18被引量：21H指数：3
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相关机构：电子科技大学北京工业大学更多>>
相关期刊：《物理学报》《Journal of Semiconductors》《The Journal of China Universities of Posts and Telecommunications》《Chinese Physics B》更多>>
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A trench accumulation layer controlled insulated gate bipolar transistor with a semi-SJ structure
《Journal of Semiconductors》2013年第12期30-33,共4页李冰华 江兴川 李志贵 林信南 
Project supported by the Guangdong Science&Technology Project(No.2010B090400443);the Shenzhen Science&Technology Foundation(Nos.JC201005270276A,ZD201006110039A);the Longgang Science&Technology Developing Foundation
A high performance trench insulated gate bipolar transistor which combines a semi-superjunction struc- ture and an accumulation channel （sSJTAC-IGBT） is proposed for the first time. Compared with the TAC-IGBT, the n...
关键词：accumulation channel semi-superjunction structure BV SCSOA 
Analysis and simulation of a 4H-SiC semi-superjunction Schottky barrier diode for softer reverse-recovery被引量：4
《Chinese Physics B》2012年第1期449-452,共4页Cao Lin Pu Hong-Bin Chen Zhi-Ming Zang Yuan 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.60876050);the Research Fund for Excellent Doctor Degree Thesis of Xi'an University of Technology,China
In this paper, a 4H-SiC semi-superjunction （S J） Schottky barrier diode is analysed and simulated. The semi-SJ structure has an optimized design and a specific on-resistance lower than that of conventional SJ struct...
关键词：4H-SIC semi-superjunction Schottky barrier diode softness factor 
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