HOT-CARRIER

作品数：18被引量：14H指数：3
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相关作者：刘斯扬钱钦松孙伟锋王金延张兴更多>>
相关机构：北京大学东南大学西安电子科技大学更多>>
相关期刊：《InfoMat》《Chinese Physics B》《npj Computational Materials》《Journal of Electronics(China)》更多>>
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Hot-Carrier Stress Effects on GIDL and SILC in 90nm LDD-MOSFET with Ultra-Thin Gate Oxide被引量：3
《Chinese Physics Letters》2009年第1期292-295,共4页胡仕刚 郝跃 马晓华 曹艳荣 陈炽 吴笑峰 
Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 60736033 and 60506020.
Hot-carrier degradation for 90 nm gate length lightly-doped drain （LDD） NMOSFET with ultra-thin （1.4 nm） gate oxide is investigated under the low gate voltage stress （LGVS） and peak substrate current （Isub max...
关键词：field emission molybdenum dioxide enhancement factor 
Hot-Carrier-Induced Defects Distribution and Coupling Effect of the Front and Back Interface Degradation in SOI nMOSFET＇s Operating in a Bi-MOS Hybrid Mode
《Chinese Journal of Electronics》2004年第1期69-74,共6页HUANGRu WANGJinyan HEJin YUMin ZHANGXing WANGYangyuan 
In this paper based on the forward gated-diode configuration, the hot carrier behavior of the SOI (Silicon-on-insulator) nMOSFET's operating in a Bi-MOS hybrid mode (abbreviated as Bi-nMOSFET) is investigated. The per...
关键词：热载流子 选通二极管 SOI MOSFET Bi-MOS混合方式 耦合效果 
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